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FQB24N08TM

FQB24N08TM

僅供參考

型號 FQB24N08TM
PNEDA編號 FQB24N08TM
描述 MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB24N08TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB24N08TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB24N08TM, FQB24N08TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 719.74 KB)
PDFFQB24N08TM數據表 封面
FQB24N08TM數據表 頁面 2 FQB24N08TM數據表 頁面 3 FQB24N08TM數據表 頁面 4 FQB24N08TM數據表 頁面 5 FQB24N08TM數據表 頁面 6 FQB24N08TM數據表 頁面 7 FQB24N08TM數據表 頁面 8 FQB24N08TM數據表 頁面 9

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FQB24N08TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

540mW (Ta)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 500µA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 15W (Tc)

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