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FQB3P20TM

FQB3P20TM

僅供參考

型號 FQB3P20TM
PNEDA編號 FQB3P20TM
描述 MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB3P20TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB3P20TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB3P20TM, FQB3P20TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 560.92 KB)
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FQB3P20TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

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FET功能

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6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

859pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.11W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

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