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FQB46N15TM_AM002

FQB46N15TM_AM002

僅供參考

型號 FQB46N15TM_AM002
PNEDA編號 FQB46N15TM_AM002
描述 MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
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庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB46N15TM_AM002資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB46N15TM_AM002
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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FQB46N15TM_AM002規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 22.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 210W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1462pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta), 25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

167nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

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