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FQB55N06TM

FQB55N06TM

僅供參考

型號 FQB55N06TM
PNEDA編號 FQB55N06TM
描述 MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB55N06TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB55N06TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB55N06TM, FQB55N06TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 602.52 KB)
PDFFQB55N06TM數據表 封面
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FQB55N06TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs46nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1690pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 133W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

310A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

715nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1070W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8237pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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