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FQB9N08TM

FQB9N08TM

僅供參考

型號 FQB9N08TM
PNEDA編號 FQB9N08TM
描述 MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB9N08TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB9N08TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB9N08TM, FQB9N08TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 547.11 KB)
PDFFQI9N08TU數據表 封面
FQI9N08TU數據表 頁面 2 FQI9N08TU數據表 頁面 3 FQI9N08TU數據表 頁面 4 FQI9N08TU數據表 頁面 5 FQI9N08TU數據表 頁面 6 FQI9N08TU數據表 頁面 7 FQI9N08TU數據表 頁面 8 FQI9N08TU數據表 頁面 9

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FQB9N08TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 15V

Vgs(最大)

+18V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 600V

FET功能

-

功耗(最大值)

97W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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