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FQB9N50TM

FQB9N50TM

僅供參考

型號 FQB9N50TM
PNEDA編號 FQB9N50TM
描述 MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQB9N50TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQB9N50TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQB9N50TM, FQB9N50TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 705.41 KB)
PDFFQI9N50TU數據表 封面
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FQB9N50TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs730mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.13W (Ta), 147W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.85mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.9nC @ 5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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