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FQD10N20CTM_F080

FQD10N20CTM_F080

僅供參考

型號 FQD10N20CTM_F080
PNEDA編號 FQD10N20CTM_F080
描述 MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD10N20CTM_F080資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD10N20CTM_F080
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD10N20CTM_F080, FQD10N20CTM_F080數據表 (總頁數: 11, 大小: 654.9 KB)
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FQD10N20CTM_F080規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

220mW (Ta), 1.06W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1972pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

770mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±50V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7027pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

625nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22000pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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