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FQD12P10TM

FQD12P10TM

僅供參考

型號 FQD12P10TM
PNEDA編號 FQD12P10TM
描述 MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD12P10TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD12P10TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD12P10TM, FQD12P10TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 666.54 KB)
PDFFQD12P10TM數據表 封面
FQD12P10TM數據表 頁面 2 FQD12P10TM數據表 頁面 3 FQD12P10TM數據表 頁面 4 FQD12P10TM數據表 頁面 5 FQD12P10TM數據表 頁面 6 FQD12P10TM數據表 頁面 7 FQD12P10TM數據表 頁面 8 FQD12P10TM數據表 頁面 9

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FQD12P10TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

266mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1449pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3026pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

218W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

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功耗(最大值)

480mW (Ta), 1.45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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