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FQD13N10TM

FQD13N10TM

僅供參考

型號 FQD13N10TM
PNEDA編號 FQD13N10TM
描述 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD13N10TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD13N10TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD13N10TM, FQD13N10TM數據表 (總頁數: 10, 大小: 989.2 KB)
PDFFQD13N10TM數據表 封面
FQD13N10TM數據表 頁面 2 FQD13N10TM數據表 頁面 3 FQD13N10TM數據表 頁面 4 FQD13N10TM數據表 頁面 5 FQD13N10TM數據表 頁面 6 FQD13N10TM數據表 頁面 7 FQD13N10TM數據表 頁面 8 FQD13N10TM數據表 頁面 9 FQD13N10TM數據表 頁面 10

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FQD13N10TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1038pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 51A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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