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FQD2N100TF

FQD2N100TF

僅供參考

型號 FQD2N100TF
PNEDA編號 FQD2N100TF
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD2N100TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD2N100TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD2N100TF, FQD2N100TF數據表 (總頁數: 9, 大小: 846.88 KB)
PDFFQD2N100TF數據表 封面
FQD2N100TF數據表 頁面 2 FQD2N100TF數據表 頁面 3 FQD2N100TF數據表 頁面 4 FQD2N100TF數據表 頁面 5 FQD2N100TF數據表 頁面 6 FQD2N100TF數據表 頁面 7 FQD2N100TF數據表 頁面 8 FQD2N100TF數據表 頁面 9

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FQD2N100TF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

550mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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HEXFET®

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5090pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 167W (Tc)

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