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FQD4N50TF

FQD4N50TF

僅供參考

型號 FQD4N50TF
PNEDA編號 FQD4N50TF
描述 MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD4N50TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD4N50TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD4N50TF, FQD4N50TF數據表 (總頁數: 9, 大小: 844.78 KB)
PDFFQD4N50TM_WS數據表 封面
FQD4N50TM_WS數據表 頁面 2 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 3 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 4 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 5 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 6 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 7 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 8 FQD4N50TM_WS數據表 頁面 9

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FQD4N50TF規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

390nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1960pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 25V

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