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FQD4P40TM-AM002

FQD4P40TM-AM002

僅供參考

型號 FQD4P40TM-AM002
PNEDA編號 FQD4P40TM-AM002
描述 MOSFET P-CH 400V 2.7A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD4P40TM-AM002資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD4P40TM-AM002
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FQD4P40TM-AM002規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.4mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 34W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA

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