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FQD5N20LTM

FQD5N20LTM

僅供參考

型號 FQD5N20LTM
PNEDA編號 FQD5N20LTM
描述 MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD5N20LTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD5N20LTM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD5N20LTM, FQD5N20LTM數據表 (總頁數: 10, 大小: 879.9 KB)
PDFFQD5N20LTM數據表 封面
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FQD5N20LTM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.2nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 37W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

378nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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21A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4040pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

516pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

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