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FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

僅供參考

型號 FQN1N50CTA
PNEDA編號 FQN1N50CTA
描述 MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQN1N50CTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQN1N50CTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQN1N50CTA, FQN1N50CTA數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,429.02 KB)
PDFFQN1N50CTA數據表 封面
FQN1N50CTA數據表 頁面 2 FQN1N50CTA數據表 頁面 3 FQN1N50CTA數據表 頁面 4 FQN1N50CTA數據表 頁面 5 FQN1N50CTA數據表 頁面 6 FQN1N50CTA數據表 頁面 7 FQN1N50CTA數據表 頁面 8 FQN1N50CTA數據表 頁面 9 FQN1N50CTA數據表 頁面 10

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FQN1N50CTA規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)380mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds195pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890mW (Ta), 2.08W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 245A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.65mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8235pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta), 38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

795pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

860mW (Ta), 32.5W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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