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FQP11N50CF

FQP11N50CF

僅供參考

型號 FQP11N50CF
PNEDA編號 FQP11N50CF
描述 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP11N50CF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP11N50CF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP11N50CF, FQP11N50CF數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,291.15 KB)
PDFFQP11N50CF數據表 封面
FQP11N50CF數據表 頁面 2 FQP11N50CF數據表 頁面 3 FQP11N50CF數據表 頁面 4 FQP11N50CF數據表 頁面 5 FQP11N50CF數據表 頁面 6 FQP11N50CF數據表 頁面 7 FQP11N50CF數據表 頁面 8 FQP11N50CF數據表 頁面 9 FQP11N50CF數據表 頁面 10

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FQP11N50CF規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2055pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)195W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

135A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1019pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

1.6W (Ta), 21W (Tc)

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