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FQP1P50

FQP1P50

僅供參考

型號 FQP1P50
PNEDA編號 FQP1P50
描述 MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP1P50資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP1P50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP1P50, FQP1P50數據表 (總頁數: 8, 大小: 637.81 KB)
PDFFQP1P50數據表 封面
FQP1P50數據表 頁面 2 FQP1P50數據表 頁面 3 FQP1P50數據表 頁面 4 FQP1P50數據表 頁面 5 FQP1P50數據表 頁面 6 FQP1P50數據表 頁面 7 FQP1P50數據表 頁面 8

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FQP1P50規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)63W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.47nC @ 5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

798pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.46W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

375A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 74A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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