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FQP3P20

FQP3P20

僅供參考

型號 FQP3P20
PNEDA編號 FQP3P20
描述 MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP3P20資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP3P20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP3P20, FQP3P20數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,070.53 KB)
PDFFQP3P20數據表 封面
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FQP3P20規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

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