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FQP90N08

FQP90N08

僅供參考

型號 FQP90N08
PNEDA編號 FQP90N08
描述 MOSFET N-CH 80V 71A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP90N08資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP90N08
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP90N08, FQP90N08數據表 (總頁數: 8, 大小: 665.81 KB)
PDFFQP90N08數據表 封面
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FQP90N08規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)71A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7670pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IRLBL1304

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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Super D2-Pak

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1891pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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