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FQP9N08L

FQP9N08L

僅供參考

型號 FQP9N08L
PNEDA編號 FQP9N08L
描述 MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP9N08L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP9N08L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP9N08L, FQP9N08L數據表 (總頁數: 8, 大小: 541.69 KB)
PDFFQP9N08L數據表 封面
FQP9N08L數據表 頁面 2 FQP9N08L數據表 頁面 3 FQP9N08L數據表 頁面 4 FQP9N08L數據表 頁面 5 FQP9N08L數據表 頁面 6 FQP9N08L數據表 頁面 7 FQP9N08L數據表 頁面 8

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FQP9N08L規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1070pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

33V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 3.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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-

功耗(最大值)

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