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FQPF19N20CYDTU

FQPF19N20CYDTU

僅供參考

型號 FQPF19N20CYDTU
PNEDA編號 FQPF19N20CYDTU
描述 MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF19N20CYDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF19N20CYDTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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FQPF19N20CYDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)43W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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