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FQPF6P25

FQPF6P25

僅供參考

型號 FQPF6P25
PNEDA編號 FQPF6P25
描述 MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF6P25資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF6P25
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF6P25, FQPF6P25數據表 (總頁數: 8, 大小: 534.19 KB)
PDFFQPF6P25數據表 封面
FQPF6P25數據表 頁面 2 FQPF6P25數據表 頁面 3 FQPF6P25數據表 頁面 4 FQPF6P25數據表 頁面 5 FQPF6P25數據表 頁面 6 FQPF6P25數據表 頁面 7 FQPF6P25數據表 頁面 8

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FQPF6P25規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1036pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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