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FQPF7N65CYDTU

FQPF7N65CYDTU

僅供參考

型號 FQPF7N65CYDTU
PNEDA編號 FQPF7N65CYDTU
描述 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 20 - 三月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF7N65CYDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF7N65CYDTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF7N65CYDTU, FQPF7N65CYDTU數據表 (總頁數: 11, 大小: 2,282.92 KB)
PDFFQPF7N65C數據表 封面
FQPF7N65C數據表 頁面 2 FQPF7N65C數據表 頁面 3 FQPF7N65C數據表 頁面 4 FQPF7N65C數據表 頁面 5 FQPF7N65C數據表 頁面 6 FQPF7N65C數據表 頁面 7 FQPF7N65C數據表 頁面 8 FQPF7N65C數據表 頁面 9 FQPF7N65C數據表 頁面 10 FQPF7N65C數據表 頁面 11

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FQPF7N65CYDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1245pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 740µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.2V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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NVMFS5C456NLWFT1G

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

884pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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