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FQPF85N06

FQPF85N06

僅供參考

型號 FQPF85N06
PNEDA編號 FQPF85N06
描述 MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF85N06資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF85N06
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF85N06, FQPF85N06數據表 (總頁數: 10, 大小: 577.66 KB)
PDFFQPF85N06數據表 封面
FQPF85N06數據表 頁面 2 FQPF85N06數據表 頁面 3 FQPF85N06數據表 頁面 4 FQPF85N06數據表 頁面 5 FQPF85N06數據表 頁面 6 FQPF85N06數據表 頁面 7 FQPF85N06數據表 頁面 8 FQPF85N06數據表 頁面 9 FQPF85N06數據表 頁面 10

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FQPF85N06規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)53A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 26.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs112nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4120pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)62W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4234pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.45W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta), 3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

845mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

73pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 10W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6675pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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