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FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU

僅供參考

型號 FQPF8N80CYDTU
PNEDA編號 FQPF8N80CYDTU
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF8N80CYDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF8N80CYDTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF8N80CYDTU, FQPF8N80CYDTU數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,267.39 KB)
PDFFQPF8N80CYDTU數據表 封面
FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 2 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 3 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 4 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 5 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 6 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 7 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 8 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 9 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 10 FQPF8N80CYDTU數據表 頁面 11

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FQPF8N80CYDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2050pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)59W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

161nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5193pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

163W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.34A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

730mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7010pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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