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FQPF9N25C

FQPF9N25C

僅供參考

型號 FQPF9N25C
PNEDA編號 FQPF9N25C
描述 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQPF9N25C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQPF9N25C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQPF9N25C, FQPF9N25C數據表 (總頁數: 10, 大小: 545.86 KB)
PDFFQPF9N25CYDTU數據表 封面
FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 2 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 3 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 4 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 5 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 6 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 7 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 8 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 9 FQPF9N25CYDTU數據表 頁面 10

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FQPF9N25C規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 59A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1765pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

CSD16327Q3T

Texas Instruments

制造商

系列

NexFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 24A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

760mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

543W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 254W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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