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FQU30N06LTU

FQU30N06LTU

僅供參考

型號 FQU30N06LTU
PNEDA編號 FQU30N06LTU
描述 MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU30N06LTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU30N06LTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU30N06LTU, FQU30N06LTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 734.42 KB)
PDFFQD30N06LTF數據表 封面
FQD30N06LTF數據表 頁面 2 FQD30N06LTF數據表 頁面 3 FQD30N06LTF數據表 頁面 4 FQD30N06LTF數據表 頁面 5 FQD30N06LTF數據表 頁面 6 FQD30N06LTF數據表 頁面 7 FQD30N06LTF數據表 頁面 8 FQD30N06LTF數據表 頁面 9

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FQU30N06LTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1040pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1276pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

40W (Ta)

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150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

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