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FQU7N10LTU

FQU7N10LTU

僅供參考

型號 FQU7N10LTU
PNEDA編號 FQU7N10LTU
描述 MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU7N10LTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU7N10LTU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU7N10LTU, FQU7N10LTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 551.59 KB)
PDFFQU7N10LTU數據表 封面
FQU7N10LTU數據表 頁面 2 FQU7N10LTU數據表 頁面 3 FQU7N10LTU數據表 頁面 4 FQU7N10LTU數據表 頁面 5 FQU7N10LTU數據表 頁面 6 FQU7N10LTU數據表 頁面 7 FQU7N10LTU數據表 頁面 8 FQU7N10LTU數據表 頁面 9

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FQU7N10LTU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 23.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

SI1070X-T1-GE3

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

385pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

236mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-89-6

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

NTD4860NT4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1308pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

850V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

275mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

870mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70

包裝/箱

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