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FR6DR02

FR6DR02

僅供參考

型號 FR6DR02
PNEDA編號 FR6DR02
描述 DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FR6DR02資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FR6DR02
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
FR6DR02, FR6DR02數據表 (總頁數: 3, 大小: 754.93 KB)
PDFFR6JR02數據表 封面
FR6JR02數據表 頁面 2 FR6JR02數據表 頁面 3

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FR6DR02規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 150V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 45V

電容@ Vr,F

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