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FS100R12KT4GBOSA1

FS100R12KT4GBOSA1

僅供參考

型號 FS100R12KT4GBOSA1
PNEDA編號 FS100R12KT4GBOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 100A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS100R12KT4GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS100R12KT4GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FS100R12KT4GBOSA1, FS100R12KT4GBOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 505.66 KB)
PDFFS100R12KT4GBOSA1數據表 封面
FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 2 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 3 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 4 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 5 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 6 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 7 FS100R12KT4GBOSA1數據表 頁面 8

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FS100R12KT4GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大515W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

460A

功率-最大

1650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APT50GF60JCU2

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

SOT-227

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.45nF @ 20V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Double INT-A-PAK

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

570A

功率-最大

2250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APT40GP90J

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

68A

功率-最大

284W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

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