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FS150R12PT4BOSA1

FS150R12PT4BOSA1

僅供參考

型號 FS150R12PT4BOSA1
PNEDA編號 FS150R12PT4BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 650V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS150R12PT4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS150R12PT4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FS150R12PT4BOSA1, FS150R12PT4BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 805.65 KB)
PDFFS150R12PT4BOSA1數據表 封面
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FS150R12PT4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大680W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce9.35nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

379W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

270W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

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