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FS50R12KT4B15BOSA1

FS50R12KT4B15BOSA1

僅供參考

型號 FS50R12KT4B15BOSA1
PNEDA編號 FS50R12KT4B15BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS50R12KT4B15BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS50R12KT4B15BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS50R12KT4B15BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列EconoPACK™2
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大280W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

2500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 400A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

19nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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Module

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

115A

功率-最大

460W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Module

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.42V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

功率-最大

70W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

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