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FS75R12KT3GBOSA1

FS75R12KT3GBOSA1

僅供參考

型號 FS75R12KT3GBOSA1
PNEDA編號 FS75R12KT3GBOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS75R12KT3GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS75R12KT3GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS75R12KT3GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大355W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.58nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

120nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

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IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900A

功率-最大

5900W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 900A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

140nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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