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FZ750R65KE3NOSA1

FZ750R65KE3NOSA1

僅供參考

型號 FZ750R65KE3NOSA1
PNEDA編號 FZ750R65KE3NOSA1
描述 MODULE IGBT A-IHV190-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 14 - 三月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZ750R65KE3NOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZ750R65KE3NOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FZ750R65KE3NOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6500V
當前-集電極(Ic)(最大值)750A
功率-最大14500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 750A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce205nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-50°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

3670W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

105nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

90W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

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No

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