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FZT1051ATC

FZT1051ATC

僅供參考

型號 FZT1051ATC
PNEDA編號 FZT1051ATC
描述 TRANS NPN 40V 5A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZT1051ATC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZT1051ATC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FZT1051ATC, FZT1051ATC數據表 (總頁數: 7, 大小: 812.28 KB)
PDFFZT1051ATC數據表 封面
FZT1051ATC數據表 頁面 2 FZT1051ATC數據表 頁面 3 FZT1051ATC數據表 頁面 4 FZT1051ATC數據表 頁面 5 FZT1051ATC數據表 頁面 6 FZT1051ATC數據表 頁面 7

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FZT1051ATC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic340mV @ 100mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 1A, 2V
功率-最大2.5W
頻率-過渡155MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

690MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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