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FZT789ATC

FZT789ATC

僅供參考

型號 FZT789ATC
PNEDA編號 FZT789ATC
描述 TRANS PNP 25V 3A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZT789ATC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZT789ATC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FZT789ATC, FZT789ATC數據表 (總頁數: 7, 大小: 864.07 KB)
PDFFZT789ATC數據表 封面
FZT789ATC數據表 頁面 2 FZT789ATC數據表 頁面 3 FZT789ATC數據表 頁面 4 FZT789ATC數據表 頁面 5 FZT789ATC數據表 頁面 6 FZT789ATC數據表 頁面 7

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FZT789ATC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1.2A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 6A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

150MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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