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GA100SCPL12-227E

GA100SCPL12-227E

僅供參考

型號 GA100SCPL12-227E
PNEDA編號 GA100SCPL12-227E
描述 SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GA100SCPL12-227E資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GA100SCPL12-227E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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GA100SCPL12-227E規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

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2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 15V

功率-最大

445mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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