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GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

僅供參考

型號 GAP3SLT33-214
PNEDA編號 GAP3SLT33-214
描述 DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GAP3SLT33-214資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GAP3SLT33-214
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GAP3SLT33-214規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3300V
電流-平均整流(Io)300mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.2V @ 300mA
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 3300V
電容@ Vr,F42pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3500V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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