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GB02SLT12-214

GB02SLT12-214

僅供參考

型號 GB02SLT12-214
PNEDA編號 GB02SLT12-214
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,702
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB02SLT12-214資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB02SLT12-214
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GB02SLT12-214, GB02SLT12-214數據表 (總頁數: 6, 大小: 409.41 KB)
PDFGB02SLT12-214數據表 封面
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GB02SLT12-214規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 1A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1200V
電容@ Vr,F131pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

150°C (Max)

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 70A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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