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GB02SLT12-220

GB02SLT12-220

僅供參考

型號 GB02SLT12-220
PNEDA編號 GB02SLT12-220
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB02SLT12-220資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB02SLT12-220
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GB02SLT12-220規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 2A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1200V
電容@ Vr,F138pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1.9V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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TO-220-2

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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