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GB10SLT12-220

GB10SLT12-220

僅供參考

型號 GB10SLT12-220
PNEDA編號 GB10SLT12-220
描述 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB10SLT12-220資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB10SLT12-220
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GB10SLT12-220規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 1200V
電容@ Vr,F520pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

233ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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