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GB2X100MPS12-227

GB2X100MPS12-227

僅供參考

型號 GB2X100MPS12-227
PNEDA編號 GB2X100MPS12-227
描述 SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GB2X100MPS12-227資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GB2X100MPS12-227
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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GB2X100MPS12-227規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)185A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 100A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr80µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227

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12.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 12.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 25V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.35V @ 120A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1000V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

工作溫度-結點

125°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

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