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GC10MPS12-220

GC10MPS12-220

僅供參考

型號 GC10MPS12-220
PNEDA編號 GC10MPS12-220
描述 SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GC10MPS12-220資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GC10MPS12-220
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GC10MPS12-220, GC10MPS12-220數據表 (總頁數: 7, 大小: 638.25 KB)
PDFGC10MPS12-220數據表 封面
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GC10MPS12-220規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)54A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1200V
電容@ Vr,F660pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

189pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

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