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GC15MPS12-220

GC15MPS12-220

僅供參考

型號 GC15MPS12-220
PNEDA編號 GC15MPS12-220
描述 SIC DIODE 1200V 15A TO-220-2
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GC15MPS12-220資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GC15MPS12-220
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GC15MPS12-220, GC15MPS12-220數據表 (總頁數: 7, 大小: 640.41 KB)
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GC15MPS12-220規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)82A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 15A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr14µA @ 1200V
電容@ Vr,F1089pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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