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GC20MPS12-220

GC20MPS12-220

僅供參考

型號 GC20MPS12-220
PNEDA編號 GC20MPS12-220
描述 SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GC20MPS12-220資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GC20MPS12-220
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GC20MPS12-220, GC20MPS12-220數據表 (總頁數: 7, 大小: 644.23 KB)
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GC20MPS12-220規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)94A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 20A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr18µA @ 1200V
電容@ Vr,F1298pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1000pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

350A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.26V @ 1100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AA, A-PUK

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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