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GD25LQ20CEIGR

GD25LQ20CEIGR

僅供參考

型號 GD25LQ20CEIGR
PNEDA編號 GD25LQ20CEIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 27,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25LQ20CEIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25LQ20CEIGR
類別半導體內存IC內存

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GD25LQ20CEIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁50µs, 2.4ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2.1V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-USON (2x3)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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