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GD25LQ20CTIGR

GD25LQ20CTIGR

僅供參考

型號 GD25LQ20CTIGR
PNEDA編號 GD25LQ20CTIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 29,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25LQ20CTIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25LQ20CTIGR
類別半導體內存IC內存

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GD25LQ20CTIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁50µs, 2.4ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 2.1V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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系列

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內存類型

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

24VL014/P

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.5V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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