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GD25Q256DYIGR

GD25Q256DYIGR

僅供參考

型號 GD25Q256DYIGR
PNEDA編號 GD25Q256DYIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25Q256DYIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25Q256DYIGR
類別半導體內存IC內存

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GD25Q256DYIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁50µs, 2.4ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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內存格式

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內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256b (16 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ms

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