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GD25Q32CWIGR

GD25Q32CWIGR

僅供參考

型號 GD25Q32CWIGR
PNEDA編號 GD25Q32CWIGR
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25Q32CWIGR資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25Q32CWIGR
類別半導體內存IC內存

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GD25Q32CWIGR規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小32Mb (4M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁50µs, 2.4ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (5x6)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

576Mb (64M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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