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GDP08S120A

GDP08S120A

僅供參考

型號 GDP08S120A
PNEDA編號 GDP08S120A
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GDP08S120A資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GDP08S120A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GDP08S120A, GDP08S120A數據表 (總頁數: 3, 大小: 581.37 KB)
PDFGDP08S120A數據表 封面
GDP08S120A數據表 頁面 2 GDP08S120A數據表 頁面 3

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GDP08S120A規格

制造商Global Power Technologies Group
系列Amp+™
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F477pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-55°C ~ 135°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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