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GF1B-E3/5CA

GF1B-E3/5CA

僅供參考

型號 GF1B-E3/5CA
PNEDA編號 GF1B-E3-5CA
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GF1B-E3/5CA資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GF1B-E3/5CA
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GF1B-E3/5CA, GF1B-E3/5CA數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.85 KB)
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GF1B-E3/5CA規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214BA
供應商設備包裝DO-214BA (GF1)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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600V

電流-平均整流(Io)

2.9A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 7A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.6µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 100V

電容@ Vr,F

76pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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